纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法
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太阳能网 2006-6-22 访问人数: 【字体:
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申请号>200510098526
<公告号>0000000
<公开号>1734793
<申请日>20050902
<公开日>20060215
<申请人>中国科学院研究生院
<国家省市>北京(11)
<联系地址>北京市石景山区玉泉路19号(甲)中国科学院研究生院物理科学学院
<邮编>100049
<发明人>朱美芳、张群芳、刘丰珍
本发明涉及一种纳米晶硅/单晶硅异质结太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池器件制备技术领域。该太阳能电池依次由Al背电极、p型单晶硅、本征纳米晶硅、n型纳米晶硅、透明导电膜和金属栅极构成。本发明的太阳能电池,采用真空热蒸发法制备铝背电极;采用化学气相沉积方法依次生长本征和n掺杂纳米晶硅薄膜形成异质结结构;在异质结结构上采用真空蒸发或溅射法沉积透明导电膜作为前电极;在透明导电膜上采用蒸发技术形成Ag栅极,形成n-nc-Si∶H/i-nc-Si∶H/c-Si结构的薄膜太阳能电池。采用无织构的CZ单晶硅,电池转化效率17.18%(0.92cm↑[2])。本发明所采用的工艺路线简单,易于实现。
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